荷叶椒草的繁殖方法 _荷叶椒草

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组培材料：荷叶椒草的茎段。培养条件不定芽诱导培养基：⑴MS+6-BA3毫克/升；不定芽增殖培养基：⑵MS+6-BA0.5毫克/升+KT0.5毫克/升：壮苗培养基：⑶1/2MS+0.5毫克/升活性炭：生根培养基：⑷1/2MS+NAA0.2毫克/升+1克/升活性炭。上述培养基均加入3%白糖和0.5%琼脂，pH5.8，培养温度为（25±2）℃，光照时间为12小时/天，光照强度为25微摩尔/（平方米·秒）左右。生长与分化无菌材料的处理：从离母株基部1-2厘米处取下嫩芽茎段，去除叶片，切成长2-2.5厘米的节段，每段带有1-2个节位，在流水下冲洗，并用洗衣粉水轻刷表面，再用无菌水冲洗干净。在超净工作台上先用75%的酒精表面擦一遍，再用0.1%的氯化汞溶液进行浸泡消毒，并不断振荡8-10分钟，用无菌水冲洗5-6次。将漂洗好的材料切去两端受升求毒害的切面，切成1-2厘米长度，每段带有1个节位，接种于培养基⑴中，每瓶接种1个茎段。不定芽的增殖和壮苗在诱导：培养基⑴上培养15-25天，腋芽开始萌发，同时其他部位开始发生褐变：切除褐化的部分，转入同种培养基上继续培养20-30天，腋芽基部同时萌发多个不定芽：去除褐化部分组织，将丛芽切下，转移至培养基⑵上增殖培养，丛芽开始增殖。继代培养23次后，增殖系数可达2.0-2.5 。当不定芽增殖到一定的数量时，可将带有35个芽的不定芽团块转移到培养基⑶上壮茵培养。20-30天后，芽体迅速长大。此时可将高1.5厘米以上、带有35个芽的团块切下，转入培养基⑷上进行生根培养。生根与移栽：小芽在培养基⑷上培养7-10天，基部开始出现白色根点，随后根系逐渐伸长，生根率达100% 。当苗高2.0厘米以上、具有3-5个较整齐的芽时，便可团块出瓶移栽。移栽前先将瓶苗移至常温下光强37.5-62.5微摩尔/（平方米·秒）的地方炼苗7-10天，然后将瓶苗取出，洗去附着在根部的培养基，用甲基托布津或多菌灵1000倍搭液浸泡3-5分钟，捞起栽种于泥炭和珍珠岩混合的基质中，放置在遮光度50-60%、湿度达80%以上的温室大棚中。1个月后，成活率达95%以上：2个月后，出圃率可达90%以上。